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离子迁移不再困扰：高效覆盖膜解决方案
随着电子设备在提高性能的同时向着小型化、轻量化方向发展，产品集成度越来越高，FPC的线宽线距越来越小。当FPC在高温高湿的环境下工作时，细线路间易形成导电性枝晶，降低线路间的绝缘可靠性，甚至导致FPC短路失效。离子迁移造成的电子产品元器件电化学腐蚀成为下游FPC厂近几年最严重的质量问题。
提高PCB基材的耐离子迁移性成为了电子产品开发中的迫切需求。因此，对于精细线路制程工艺，与之匹配的抗枝晶（Anti-dendrite）材料就显得十分必要。抗枝晶（Anti-dendrite）材料的使用，能有效降低细线路间产生枝晶的风险，提高FPC的可靠性。
耐离子迁移的产生条件
电化学迁移通常是指在电场作用下使金属离子发生迁移的现象，其形成的必要条件：电势差、电解质溶液、离子迁移通道、可迁移物质。
电势差：当FPCB使用通电时，通路之间会形成一定的电势差。
电解质溶液：环境条件下的水汽，FPCB制程中的污染物离子及有胶材料胶粘剂中的杂质离子，可形成可导电的电解质溶液。
离子迁移通道：环氧胶系覆盖膜在热固化过程中会形成一些微小孔隙及空洞，就可为离子迁移提供通道。
可迁移物质：焊点Sn、 焊盘Ni、基材Cu等可参与电化学反应的金属及其离子。
耐离子迁移覆盖膜优势
相对于normal CVL ：
l 更低的卤素水平
l 更优秀的高温耐老化能力
l 1000H耐离子迁移能力，无枝晶
相对于其他厂家Anti-dendrite CVL
l 更好的操作性
l 更优良的基础物性和耐老化信赖性
l 更具有竞争力的价格
技术参数
ZYC-C系列CVL耐离子迁移性能突出，适合精细线路设计FPC制程。
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项目 |
ZYC-C |
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叠构 |
PI |
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胶离型纸 |
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PI |
厂家 |
达迈、菲玛特 |
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厚度/um |
12、25、50 |
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胶 |
厂家 |
南昌GA黄金甲 |
|
厚度/um |
10-50 |
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耐离子迁移覆盖膜——卤素对比
Anti-dendrite产品具有较Normal产品更低的卤素水准，更耐离子迁移。
Normal CVL 428ppm
耐离子迁移覆盖膜——迁移测试
Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK
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离子迁移测试 |
Normal CVL |
Anti-dendrite CVL |
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测试条件 |
温湿度：85℃/85%RH 时间：1000h 电压: DC 50V 基材：ZYFD250012 覆盖膜：ZYC1215 线宽线距:50um/50um |
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测试结果 |
500H NG |
1000H OK |
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阻值 |
初始电阻/Ω |
1.48E+9 |
1.92E+9 |
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500H电阻/Ω |
-- |
1.89E+9 |
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1000H电阻/Ω |
-- |
1.87E+9 |
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电阻下降率 |
-- |
2.6% |
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*500h Normal cvl部分样品发生微短
耐离子迁移覆盖膜——测试设备
双85环境下50V直流电压对样品进行测试1000H
Migration test 1000H OK , no dendrite
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